1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春30033
2 中国科学院大学，北京100049
3 中国科学院 南海海洋研究所，广东广州51001
4 浙江大学 信息与电子工程学院，浙江杭州310027
5 吉林江机特种工业有限公司，吉林长春132021
水下连接器是水下观测网的关键零部件，采用油液密封方式实现低损耗连接，但该方式会导致光连接结构复杂、工程研制难度大。为解决此问题，对比陆基光纤网络的连接方式，提出接触式光纤连接器水下原位湿插拔的方案。基于水体吸收特性、朗伯-比尔定律以及液体的表面张力等理论进行原理分析，在光纤端面形成厚度在5 μm以内的水膜且该厚度水膜对1 310，1 550 nm波段的吸收损耗可忽略不计；然后，以1 550 nm波段为例，对光纤在空气、水、硅油的耦合损耗情况进行实验分析，并利用设计的光插针结构进行性能验证。实验数据显示，光纤水下原位湿插拔的平均损耗为0.17 dB，光插针的原位湿插拔平均损耗为0.23 dB。由此表明，接触式光纤耦合设计能够满足水下湿插拔的低损耗连接要求。本文为水下光纤湿插拔连接器领域提供了新思路，提出在确保水体清洁的情况下可直接进行水下原位湿插拔的设计方案，有望打破国外以油液密封方式建立的技术垄断。
水下连接器 湿插拔 水体吸收特性 光纤耦合 性能分析 underwater connector wet-mateable water absorption properties fiber-coupling performance analysis 
Author Affiliations
Abstract
1 Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China
2 Department of Physics, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China
Gallium nitride (GaN)-based light-emitting diodes (LEDs) are important for lighting and display applications. In this paper, we demonstrate green-emission (512 nm) InGaN quantum dot (QD) LEDs grown on a c-plane sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition. A radiative lifetime of 707 ps for the uniform InGaN self-assembled QDs is obtained by time-resolved photoluminescence measurement at 18 K. The screening of the built-in fields in the QDs effectively improves the performance of QD LEDs. These high quantum efficiency and high temperature stability green QD LEDs are able to operate with negligible efficiency droop and with current density up to . Our results show that InGaN QDs may be a viable option as the active medium for stable LEDs.
Photonics Research
2020, 8(5): 05000750
黄河科技学院 嵌入式系统应用技术实验室, 郑州 450063
通过对光无源器件的分析和测试, 掌握其的基本理论和性能参数。结合各种器件性能参数的测试方法和计算公式, 为光无源器件在生产工艺和光纤通信传输系统中的广泛应用提供参考。
光无源器件 测试 性能参数 光纤通信 optical passive device test performance parameter optical fiber communication
1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
2 中国科学院大学, 北京 100049
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒) 量子阱为有源区的[1.31 μm]TM偏振高速激光器。以1% 张应变的 In0.49Ga0.51As0.79P0.21作为阱层，0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层，计算了由不同势垒带隙（1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 eV）构成的五种多量子阱的发光特性，和由其构成的激光器的器件特性。数值模拟分析表明，采用适度小的势垒带隙，既能将载流子有效限制在有源区，又可以得到载流子在量子阱间的均匀分布，从而改善量子阱的发光特性和激光器的性能参数。该仿真对研制低阈值电流、高特征温度和大调制带宽的InGaAsP/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器具有指导意义。
激光器 TM偏振 数值模拟 激光与光电子学进展
2014, 51(2): 021401
1 中国白城兵器试验中心,吉林 白城137001
2 军械工程学院光学与电子工程系,石家庄050003
在ISAR成像中,由非均匀转动引起的相位误差与散射点的径向位置有关，传统的相位聚焦方法难以采用统一的相位校正函数来进行补偿。针对此问题，提出一种基于自适应Gaussian包络Chirplet分解(AGCD)快速算法的相位补偿方法。该方法在任意选取的距离单元上，利用Gaussian包络Chirplet分解得到两个较强散射点所对应的线性调频信号参数,并结合多特显点处理(PPP)模型，对由平动和非均匀转动造成的相位误差分别进行补偿。该方法计算量小，估计精度高，且没有孤立强散射点的要求。仿真实验结果表明了它的有效性。
逆合成孔径雷达 相位聚焦 自适应Gaussian包络Chirplet分解 非均匀转动 Inverse Synthetic Aperture Radar(ISAR) phase focusing adaptive Gaussian Chirplet decomposition nonuniform rotation
1 上海大学物理系, 上海 200444
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部, 江苏 苏州 215123
基于严格耦合波理论，从反射率、吸收增强因子、光生载流子几率和理想光电转换效率几个方面模拟分析了不同锥型亚波长光栅对1 μm厚晶硅电池产生的影响。模拟结果得出：在相同光栅高度下，虽然小周期（P=100 nm）锥形亚波长光栅的表面反射率低于大周期（P=500 nm）结构的表面反射率，但是大周期锥形亚波长光栅薄膜晶硅电池的光生载流子几率和理想光电转换效率高于小周期结构的相应值，且这种区别随着光栅高度增加而增加。在AM1.5D太阳光谱下，最优化的大周期光栅使得薄膜晶硅电池光生载流子几率和理想效率增加1.4倍和1.65倍，而最优化的小周期光栅只能分别增加0.54倍和0.48倍。
光电子学 吸收增强 严格耦合波理论 太阳电池 宽谱减反 激光与光电子学进展
2012, 49(4): 043101
